标签:假正经的

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

SoC设计电网
通过布莱恩•贝利8月11日,2016 -评论:0

为一个复杂的SoC设计电力网络已经成为产品的成功至关重要,但大多数芯片仍然使用老技术适合最新的制造技术,导致一个昂贵的,过度设计的产品。不仅是电力网络设计过大,但这几个连锁效应,影响区域,时间和力量。在第一个爸爸…»阅读更多

1 xnm DRAM的挑战
通过马克LaPedus- 2月18日,2016 -评论:3

在最近的一次活动中,三星发表了一篇论文,描述了该公司计划扩展今天的平面后发到20海里。这是一个了不起的壮举。直到最近,大多数工程师认为今日将在20 nm左右停止扩展。相反,三星是增加世界上最先进的DRAMs-a 20纳米线部分计划更进一步。微米和SK海力士-秀……»阅读更多

ALD市场升温
通过马克LaPedus- 9月17日,2015 -评论:1

在转移到3 d NAND finFETs和其他设备架构,原子层沉积(ALD)在若干领域市场升温。应用材料,例如,最近搬到调整景观通过推出一个新的、高通量ALD的工具。一般来说,[getkc id = " 250 " kc_name =“退化”)是一个过程,沉积材料分层技术在原子层面,使薄和…»阅读更多

大内存转变之前
通过布莱恩•贝利——5月22日,2014 -评论:1

推动了系统架构的性能[getkc id = " 22 " kc_name =“记忆”)。处理器设计者会喜欢所有的内存快[getkc id = " 92 " kc_name =“存储器”],把芯片上实现了最大的性能,但这不是一个选择。作为单独的芯片和内存必须编造通过印刷电路板(PCB)连接。这有限的可用I / O端口的数量……»阅读更多

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