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错误越多,记忆越正确


当任何类型的存储位元变得越来越小时,由于较低的裕度和过程变化,误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误,但随着使用更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅面积,这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势,迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

可能的用途窄为负电容fet


在二氧化铪(HfO2)中发现铁电相引发了人们对铁电晶体管和存储器与传统CMOS器件集成机会的极大兴趣。特别是“负电容”行为的演示表明,这些器件可能会规避60 mV/decade的亚阈值摆动限制,从而提高晶体管效率. ...»阅读更多

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