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标签:EUV薄膜

对薄膜的电阻率和发射率膜对EUV光刻
通过技术论文链接- 01年4月,2022 -评论:0

新技术从汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯。抽象的“薄膜是一种薄膜结构,保护一个极端的紫外线(EUV)面具在曝光过程中污染。然而,其有限的透光率引发不必要的加热由于EUV光子的吸收。破裂的EUV薄膜可以避免通过改善其其他……»阅读更多

调查:2020 eBeam计划年度调查的结果
通过eBeam倡议- 7月21日,2021 -评论:0

阿基》的首席执行官d2,公司提出了“eBeam倡议的年度调查的结果在光掩模”日本光掩模2021在2021年4月。调查说COVID面具总收入净中立的业务影响。到2021年,24%正vs 20%负COVID-related业务预测。74%同意光化性检查EUV HVM到2023年,和更多的结果。点击这里阅读更多。»阅读更多

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

在EUV掩找到缺陷
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:0

极端紫外线(EUV)光刻终于在先进的生产节点,但是仍然存在一些挑战的技术,如EUV掩模缺陷。缺陷在芯片不必要的偏差,从而影响产量和性能。他们可以出现在芯片制造过程中,包括一个面具的生产或光掩模,有时被称为一个十字线。幸运的是…»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第1部分)
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

面具制造商担忧增长
通过马克LaPedus- 8月18日,2016 -评论:2

领先的光掩模制造商面临着众多的挑战,因为他们从14 nm节点迁移。面具使变得更加具有挑战性和昂贵的在每个节点在至少两个方面。面前,面具制造商必须继续投资发展的传统光学面具在先进的节点。在另一个方面,一些光掩模供应商准备可能的拉…»阅读更多

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