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四周期垂直堆叠SiGe/Si沟道FinFET的制备及其电特性


李勇,赵峰,程旭,刘宏,昝勇,李军,张强,吴震,罗军,王伟。四周期垂直堆叠SiGe/Si通道FinFET的制备及其电特性。纳米材料(巴塞尔)。2021年6月28日;11(7):1689。doi: 10.3390 / nano11071689。PMID: 34203194;PMCID: PMC8307669。在这里找到技术论文。摘要:本论文针对外延厚度的限制和外延厚度的高…»阅读更多

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