3 d NAND垂直扩展的竞赛


3 d NAND闪存供应商正在加速努力转移到下一个技术节点在与日益激烈的竞争赛跑,但所有这些供应商都面临着各式各样的新业务,制造业,和成本的挑战。两个供应商,微米和SK海力士,最近超越了竞争和比例在3 d NAND比赛领先。但三星(Samsung)和数字(Kioxia-Western…»阅读更多

在快闪记忆体是什么?


由马克LaPedus多年来,许多人预计年底闪存扩展,尤其是NAND闪存,但技术继续克服困难,因为它向下移动过程曲线。不过,有迹象表明,浮栅结构在当今的闪存黔驴技穷了。浮置栅极看到是一个不受欢迎的削减控制栅电容耦合比。和…»阅读更多

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