设计的安全


堆死可以提高性能和较低的权力,但使用[getkc id = " 203 " kc_name =”在矽通过”)(tsv)可以添加新的安全风险。随着集成电路结构,这些芯片的垂直分量包既有利的一面,破产。三维几何形状允许更少的复杂性由叠加设计二维连接它们死了,第三dimens……»阅读更多

动量构建为单片3 d ICs


2.5 d / 3 d芯片市场在若干领域正在升温。在一个方面,使用在矽stacked-die通过(tsv)扎根。在一个单独的区域,三星是世界首部3 d采样NAND闪存设备,与微米和SK海力士将效仿。现在,还有另一个技术生成steam-monolithic 3 d集成电路。在stacked-die,裸死连接使用……»阅读更多

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