标签:CD-SEM

挑战成长为CD-SEMs 5 nm和超越
通过格雷戈里·哈雷- 11年4月,2023 -评论:1

CD-SEM,主力计量工具使用的晶圆厂过程控制,正面临巨大的挑战在5 nm和下面。传统上,CD-SEM成像依赖有限数量的图像帧平均,这是必要的,保持速度和吞吐量减少样本电子束本身造成的损失。尺寸变小,这些限制导致更高水平的n…»阅读更多

计量选项增加设备的需求转变
通过劳拉·彼得斯2023年1月- 10 -评论:1

半导体晶圆厂正在采取一种“甲板上所有的手”的方式来解决艰难的计量和收益管理的挑战,结合工具、流程和其他技术的芯片产业转型nanosheet晶体管在前端和后端异构集成。光学和电子束工具正在扩展,而x射线检查被添加在一个案子-…»阅读更多

计量的薄抵制高NA EUVL
通过新星- 2022年11月16日-评论:0

的限制高数值孔径的极端紫外线光刻技术(高NA EUVL)抵制厚度有关。事实上,从当前的后果之一0.55 0.33 NA NA(高NA)是景深(景深)。此外,抵抗特性线间距缩小到8海里一半,有必要限制比例,以避免模式崩溃。T…»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

制造业:11月9日
通过马克LaPedus- 09年11月,2020 -评论:0

开源EUV抵制计量保罗谢勒研究所(PSI)开发了一个开源软件技术的扫描电子显微镜(SEM)应用程序。技术是针对EUV抵抗计量。技术,叫做微笑(SEM-Measured图像估计行),是一个开源的软件技术,在扫描电镜特征线和空间模式。微笑是使用t…»阅读更多

加快研发计量过程
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

一些芯片制造商正在一些主要的变化表征/计量实验室,增加fab-like过程在这组帮助加速芯片开发时间。描述/计量实验室,通常根据雷达,是一组,研发组织和工厂使用。描述实验室参与了早期的分析工作next-generati……»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

毫升是怎么被用于集成电路制造吗
通过马克LaPedus- 01年4月,2020 -评论:0

半导体工程坐下来讨论这个问题和挑战与机器学习在半导体制造业Kurt Ronse在Imec先进光刻项目主任;渔洞,高级营销主任到创新;数据科学家罗曼Roux Mycronic;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录的谈话。第一部分…»阅读更多

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