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标签:3 d-ic

使用HBM3提高性能和功率
通过安迪Patrizio- 2023年1月30日-意见:0

HBM3大大加快了内存和处理器之间的数据移动速度，降低了发送和接收信号所需的功率，提高了需要高数据吞吐量的系统的性能。但使用这种内存既昂贵又复杂，短期内可能还会如此。HBM3 (High Bandwidth Memory 3)是目前应用最广泛的高带宽存储器。»阅读更多

2023年芯片设计将发生什么?
通过布莱恩•贝利- 2023年1月26日-意见:0

在稳定时期似乎更容易做出预测，但它们并不比在任何其他时期更正确。在动荡时期，很少有人有足够的勇气让自己的意见被听到。然而，这些观点往往是经过深思熟虑的，即使它们最终被证明是错误的，它们往往包含一些非常有启发性的想法。2022年出现了一些……»阅读更多

2022年必须适应广泛的变化
通过布莱恩•贝利- 2022年12月21日-意见:0

变化创造机会，但并不是每个公司都能迅速做出反应，充分利用这些机会。其他人可能反应太快，在他们正确理解其含义之前。在典型的一年之初，乐观情绪随处可见。任何积极的趋势都被认为是在继续，任何消极的趋势都被认为是在好转。通常在年末…»阅读更多

3D-IC可靠性随温度升高而降低
通过安Mutschler- 2022年12月14日-意见:0

3D-IC设计的可靠性取决于工程团队控制热量的能力，热量会显著降低性能并加速电路老化。虽然至少从28nm开始，热就一直是半导体设计中的问题，但在3D封装中处理热问题更具挑战性，因为电迁移可能会在多个层面上扩散到多个芯片。“是…»阅读更多

准备，设置，开始:用3D-IC超越摩尔定律
通过托尼Mastroianni- 2022年12月8日-评论:0

由Anthony Mastroianni和Gordon Allan设计，西门子EDA 3D ic是异构先进封装技术到第三维度的一个令人兴奋和有前途的扩展。虽然还远未成为主流，但3D IC的时代即将到来，因为芯片标准化的努力和支持工具的发展开始使3D IC对更多的玩家(无论大小)和产品都是可行的和有利可图的。»阅读更多

3D-IC的计算电磁模拟挑战
通过凯利Damalou- 2022年11月29日-评论:0

当今半导体设计的创新主要由AI/ML、数据中心、自动驾驶汽车和电动汽车、5G/6G和物联网驱动。最近开发的2.5和3D-IC硅封装技术已经超越了上世纪90年代首次将数字、模拟和存储功能结合在一块芯片上的SoC技术。这些……»阅读更多

UCIe真的是通用的吗?
通过布莱恩•贝利- 2022年11月22日-评论

芯片正迅速成为克服摩尔定律减速的手段，但一个接口是否能够将它们全部连接在一起尚不清楚。通用芯片互连快车(Universal Chiplet Interconnect Express，简称UCIe)相信它会起作用，但一些业内人士仍然不相信。至少部分问题是互连标准从未真正完成。即使在今天，协议…»阅读更多

芯片功率分布建模在7nm以下变得至关重要
通过安Mutschler- 2022年11月16日-评论:0

在每个新节点和3d - ic中，对soc中的功率分布建模变得越来越重要，其中涉及功率的容差要严格得多，任何错误都可能导致功能故障。在成熟的节点上，有更多的金属，电力问题仍然很少。但在高级节点上，芯片以更高的频率运行，仍然消耗相同或更大的功率……»阅读更多

解决复杂芯片中的热耦合问题
通过安Mutschler- 2022年11月10日-评论:0

芯片和封装复杂性的上升导致热耦合器的比例增加，这可能会降低性能，缩短芯片的寿命，并影响芯片和系统的整体可靠性。热耦合本质上是两个设备之间的连接，如芯片和封装，或晶体管和衬底，其中热量从一个传递到另一个。如果不是……»阅读更多

先进芯片设计中的功率和热量平衡
通过凯伦·海曼- 2022年11月10日-评论

电力和热量的使用是别人的问题。现在情况已经不同了，随着越来越多的设计迁移到更先进的工艺节点和不同类型的先进封装，问题正在蔓延。这种转变有很多原因。首先，导线直径变小，介质变薄，衬底变薄。电线的结垢需要更多的能量来驱动。»阅读更多

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