标签:3 d-ic

提高性能和与HBM3权力
通过安迪Patrizio1月30日,2023 -评论:0

HBM3波动开门显著更快的内存和处理器之间的数据移动,减少权力需要发送和接收信号,提高系统的性能,高数据吞吐量是必需的。但使用这种记忆是昂贵和复杂,这可能在短期内将继续如此。高带宽内存3 (HBM3)是最衰退……»阅读更多

2023在存储芯片设计什么?
通过布莱恩•贝利- 1月26日,2023 -评论:0

预测似乎更容易使稳定的时期,但是他们没有比在任何其他时期更正确。在更多的动荡时期,更少的人是勇敢的,足以让他们的意见被听到。然而通常是那些更合理的观点,即使他们不是真实的,他们经常包含一些很有启发性的想法。2022看到一些…»阅读更多

2022年适应广泛的转变至关重要
通过布莱恩•贝利- 12月21日,2022 -评论:0

变化带来了机遇,但并不是每个公司都能够做出快速利用这些机会。其他人可能反应太快,之前他们正确理解的影响。在一个典型的年份,乐观是供应充足。任何被视为积极的趋势继续,任何负面被视为转身。通常情况下,在今年晚些时候…»阅读更多

3 d-ic可靠性降低和增加温度
通过安Mutschler12月- 14,2022 -评论:0

3 d-ic设计的可靠性取决于工程团队的能力来控制热量,可以显著降低性能和加速电路老化。而热以来一直在半导体设计问题至少28 nm,它更具有挑战性的处理3 d包内部,电迁移可以扩散到多个芯片在多个层面上。“是…»阅读更多

准备好,集,与3 d-ic:超越摩尔定律
通过托尼Mastroianni- 08年12月,2022 -评论:0

安东尼Mastroianni和戈登•艾伦西门子EDA 3 d ICs是一个激动人心的和有前途的异构先进包装技术扩展到三维。虽然远离主流,3 d IC的时间即将到来,作为chiplet标准化的努力和支持工具的发展开始让更多的球员3 d IC可行的和有利可图的,或大或小,产品w……»阅读更多

计算电磁学仿真3 d-ic的挑战
通过凯利Damalou11月29日,2022 -评论:0

凯利Damalou和马特参考今天在半导体设计创新的主要精力充沛是AI /毫升,数据中心,自主和电动汽车,5 g / 6克,物联网。最近开发的2.5和3 d-ic硅包装技术先进国家的艺术超越了SoC技术第一联合数字模拟和记忆功能在90年代在一个芯片上。这些……»阅读更多

UCIe真的是通用的吗?
通过布莱恩•贝利11月- 22,2022 -评论:1

Chiplets正迅速成为克服摩尔定律的放缓,但一个接口是否能够加入他们一起还不清楚。通用Chiplet互连表达(UCIe)认为,将工作,但一些业内人士仍然不服气。至少部分问题是,互连标准是永远不会真正结束。即使在今天,协议……»阅读更多

芯片上的功率分布建模成为基本低于7海里
通过安Mutschler- 2022年11月16日-评论:0

建模配电soc正变得越来越重要在每个新节点和3 d-ics,涉及权力的公差都更紧,和任何错误可能会导致故障。在成熟的节点,有更多的金属,电力问题仍然是罕见的。但高级节点,芯片仍然运行在更高的频率和消费相同或更大的权力……»阅读更多

在复杂的芯片解决热耦合问题
通过安Mutschler11月- 10,2022 -评论:0

芯片和包装的复杂性导致热耦合成比例的增加,这可以减少性能,缩短芯片的寿命,影响整体芯片和系统的可靠性。热耦合本质上是两个设备之间的连接,如芯片和一个包,或者一个晶体管和衬底,热量转移从一个到另一个。如果不是……»阅读更多

平衡力量和热量在先进的芯片设计
通过凯伦·海曼11月- 10,2022 -评论:1

使用电力和热力是别人的问题。不再是这样,问题是传播随着越来越多的节点迁移到更先进的设计过程和不同类型的高级包装。这种转变有很多原因。首先,有萎缩的钢丝直径,薄电介质,薄底物。电线的扩展需要更多的能量driv……»阅读更多

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