最佳实践在相互冲突的需求总经理高级节点,特别是finFET-based设备。
移动在全球竞争市场,消费者和汽车电子系统、关键成功因素是功耗,性能和可靠性。来管理这些相互冲突的需求,设计团队考虑多个选项,包括使用先进工艺节点——特别是FinFET-based设备。这些先进的技术节点允许芯片运行速度较低的权力和包装更多的功能在同一大小的硅。然而在这些流程节点,权力,噪音和可靠性签字带来重大的问题引起的物理、大小和形状的设备和互联。
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堆积的nMOS pMOS设备使用单片或连续流是可能的。每一种都有其优点和缺点。
努力山连接计量、测试和检验在两个世界芯片变得更加复杂和昂贵。
需要测试和验证,但是,仍然不能保证这些开源越将与其他软件。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
地图在interposer-based热量流动设计工作正在进行,但要做得多。
先进的设备、材料和包装技术所有导致权力问题。但是你需要关注每个晶体管和线吗?
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