3 d NAND:场景扩展与叠加


累加起来的一个新的研究论文题为“的影响和造成一些细胞在3 d NAND阈值电压”是韩国成均馆大学和韩国大学的研究人员发表的。文摘”在过去的几十年中,NAND闪存有先进的成倍增加的增长。一些细胞在3 d NAND闪存堆积起来,一起按比例缩小,一些种种…»阅读更多

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