标签:SRAF

下一代面具作家比赛开始了
通过马克LaPedus- 10月19日,2017 -评论:5

竞争是面具加热作家设备业务两个vendors-Intel / IMS和NuFlare-vie在新的和新兴的多波束工具领域的地位。去年,英特尔惊讶这个行业通过收购IMS纳米加工,多波束电子束面具作家设备供应商。同样在去年,IMS,英特尔的一部分,现在开始航运世界第一多波束面具作家f……»阅读更多

更多的EUV掩模间隙
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:12

极端紫外线(EUV)光刻技术是在一个关键时刻。经过几次延误和故障,[gettech id = " 31045 "评论=“EUV”]现在是针对7和/或5 nm。但仍有许多技术之前必须一起EUV插入到大规模生产。如果作品不属于的地方,EUV可能再次下滑。首先,EUV源必须产生更多…»阅读更多

7纳米工厂挑战
通过马克LaPedus- 4月21日,2016 -评论:3

先进铸造供应商的挑战从传统的平面流程过渡到finFET晶体管时代。第[getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]是基于22 nm节点,现在这个行业增加16 nm / 14纳米技术。展望未来,问题是finFET可扩展多远。事实上,从三星预计增加10 nm finFETs你们……»阅读更多

光照对基于模型的影响SRAF接触模式的位置
通过不同的作家2月19日,2014 -评论:1

Sub-Resolution辅助功能(SRAFs)已被广泛地用于改进过程纬度孤立和半封闭特性与离轴照明。这些SRAFs通常插入基于规则分配一个全球SRAF大小和接近目标的形状。额外的规则帮助特性之间的关系,和随机的日志……»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu