标签:分辨率增强

衰减相移面具(attPSM) EUV(弗劳恩霍夫IISB)
通过技术论文链接- 08年7月,2022 -评论:0

新的研究论文题为“衰减相移面具:外卡极端紫外线光刻分辨率增强吗?,“从研究员Fraunhofer-Institut毛皮Integrierte Systeme和Bauelementetechnologie IISB(德国)。目标:“我们回顾发表研究衰减相移面具(attPSM) EUV特别强调建模和基本的理解……»阅读更多

平选择稀疏后10纳米
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

尖端铸造厂增加他们16 nm / 14 nm逻辑流程、研发10 nm和7海里。除非有重大突破在[getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”],芯片制造商和多个成像将使用193 nm液浸式光刻16 nm / 14 nm和10纳米。现在,芯片制造商都在关注7纳米光刻技术的选择。和之前一样,选项包括通常的嫌疑人——[gettech id = "……»阅读更多

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