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门CoolGaN 600 V HEMTs驱动解决方案


本文解释了英飞凌的栅极驱动要求的CoolGaN 600 V e-mode HEMTs。讨论了各种驱动解决方案,从标准RC-coupled司机差动驱动新概念利用专用门驱动集成电路。在网格的拓扑结构,孤立和相结合的混合配置non-isolated司机是一个令人振奋的可选方法。实际应用…»阅读更多

碳化硅的超级大国


当我们进入一个新的计算时代推动物联网(物联网),大数据和人工智能(AI),更节能芯片的需求增长。在这种背景下,我们经常会考虑到摩尔定律和减少晶体管的大小。然而,功率半导体的进步并不是由节点的大小减少。硅功率开关、mosfet、igbt等,基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

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