挑战和解决方案硅片斜在3 d NAND闪存制造缺陷


随着半导体技术的尺度大小,流程集成的复杂性和缺陷增加3 d NAND闪存,部分由于大堆栈存款和厚度变化之间的晶圆中心和晶片边缘。业内人士正在努力减少缺陷密度在晶片边缘提高整体晶片产量。注意力都集中在常见的晶圆斜角缺陷年代……»阅读更多

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