Transistor-Free Compute-In-Memory架构


一个新的技术论文题为“现场可编程铁电二极管可重构Compute-In-Memory”被宾夕法尼亚大学的研究人员最近发表,桑迪亚国家实验室,布鲁克海文国家实验室。完全transistor-free Compute-In-Memory设计是不同的。“即使用于compute-in-memory架构,晶体管妥协的访问……»阅读更多

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