铁电体:负电容的梦想


铁电体越来越严重的复审,随着芯片制造商寻找新选项保持驱动电流。铁电材料可以提供非易失性内存,提供一个重要的功能的DRAM和闪存之间的差距。事实上,铁电体的内存和2 d通道晶体管是两个突出最近的IEEE会议电子设备。Ferroelectri……»阅读更多

生长在铁电设备感兴趣


铁电场效应晶体管和记忆开始显示承诺研究人员开始开发和测试新一代晶体管。效率的一个测量晶体管的阈下摇摆,这是栅电压的变化需要增加一个数量级的漏极电流。以每十年单位毫伏,在传统mosfet k是有限的……»阅读更多

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