标签:混合计量

Nanosheet场效应晶体管驱动计量和检验的变化
通过凯伦·海曼- 09年8月,2022 -评论:0

在摩尔定律的世界里,它已成为一个不争的事实,较小的节点会导致更大的问题。随着晶圆厂转向nanosheet晶体管,它正变得越来越有挑战性检测直线边缘粗糙度和其他缺陷由于这些和其他多层结构的深度和混浊。因此,计量更大的混合方法,与一些著名的工具移动……»阅读更多

FinFET计量挑战成长
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:1

芯片制造商面临着众多的挑战在工厂10 nm / 7海里,但通常是一种技术在雷达下变得尤其difficult-metrology。计量、测量和描述的艺术结构,用于确定设备和流程的问题。它有助于确保实验室和工厂的产量。在28 nm及以上,计量是一个简单的…»阅读更多

我们可以衡量下一代FinFETs吗?
通过马克LaPedus——11月21日,2016 -评论:6

后增加各自16 nm / 14 nm finFET流程,芯片制造商正在向10 nm和/或7海里,在研发5海里。但当他们向下移动过程路线图,他们将面临一系列新的工厂的挑战。除了光刻和互联,计量。计量、测量的科学是用来描述小电影和结构。它有助于提高彝族……»阅读更多

测量原子和超越
通过马克LaPedus——11月21日,2016 -评论:0

物理工程部门负责人大卫·西勒在物理测量实验室在国家标准与技术研究院(NIST),坐下来与半导体工程讨论计量的当前和未来的方向。NIST、物理科学实验室是美国商务部的一部分。以下是摘录的谈话。SE: W…»阅读更多

工厂问题7和5 nm
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:2

比赛向7纳米逻辑节点在7月正式拉开帷幕,当IBM Research, GlobalFoundries和三星共同推出公司声称是什么行业的第一个7纳米测试芯片功能的晶体管。当然,他们并不孤单。英特尔和台积电也分别赛车7纳米技术发展。在研发实验室,芯片制造商也正在研究技术f…»阅读更多

等待下一代计量
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

芯片制造商继续3月各流程节点,但这个行业需要新的突破将IC比例在10纳米。事实上,该行业将需要至少两个主要areas-patterning和创新[getkc id =“36”=“互连”评论]。还有其他方面的问题,但一个技术是快速上升的顶部附近list-metrology ....»阅读更多

原子层蚀刻终于出现了
通过马克LaPedus——5月15日,2014 -评论:1

迁移对finFETs 20 nm节点和其他设备,除了需要一个新的数组芯片技术。多个模式,混合计量和新奇的互连方案所需的只是几个技术未来的扩展。此外,行业还需要新的技术,可以处理结构在原子水平。例如……»阅读更多

计量方面的差距会影响产量
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:0

一段时间,芯片制造商发展新的和复杂的芯片架构,如3 d NAND finFETs和堆死。但是制造这些类型的芯片是没有简单的任务。它需要一个健壮的工厂流向启用新的集成电路设计具有良好的收益率。事实上,产量已越来越成为一个流动的关键部分。收益率是一个广义的概念,它意味着不同的事情不同的地方…»阅读更多

专家在餐桌上:在计量和检验问题
通过马克LaPedus2013年5月- 06 -评论:0

由马克LaPedus半导体制造与设计坐下来讨论未来的计量和检验的挑战与约翰•Allgair GlobalFoundries高级技术人员的成员;营销副总裁凯文•Heidrich Nanometrics和业务发展;执行副总裁罗伯特·纽科姆Qcept技术;营销副总裁和Shrinivas Shetty f……»阅读更多

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