标签:根特大学

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

挑战持续EUV
通过马克LaPedus11月- 11 2020 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录的谈话。竞争……»阅读更多

制造业:5月26日
通过马克LaPedus——5月26日,2020 -评论:0

7-level nanosheets 2020年座谈会在VLSI技术&电路将举行首次作为虚拟会议。6月15日至18日举行的活动,围绕的主题是“未来40年的VLSI无处不在的智慧。”事件的报纸包括先进nanosheet晶体管、3 d堆叠存储设备,甚至人为的虹膜。在…»阅读更多

制造业:5月19日
通过马克LaPedus——5月19日,2020 -评论:0

病毒使用先进的建筑模拟器和模拟试验台,劳伦斯伯克利国家实验室(伯克利实验室)正在发起一项研究病毒在建筑的空气传播的风险。研究人员还将探索方法来缓解这些风险。实验将在伯克利实验室的FLEXLAB,是一种先进的建筑模拟器。使用的建筑商、archi……»阅读更多

接下来EUV问题:掩盖3 d效果
通过马克LaPedus- 4月25日,2018 -评论:6

随着极端紫外线(EUV)光刻接近生产,该行业更关注问题的现象称为掩盖3 d效果。3 d效果涉及光掩模的EUV面具。简而言之,一个集成电路芯片设计,从一个文件格式转换成光掩模。面具是一个给定的主模板集成电路设计。这是放置在一个光刻扫描……»阅读更多

电力/性能:7月26日
通过杰西·艾伦- 7月26日,2016 -评论:0

灵活的MRAM来自新加坡国立大学的研究人员,延世大学,根特大学和新加坡材料研究与工程研究所的嵌入磁性记忆体晶片在塑料材料,能够灵活的弯管。新装置作用于磁阻的随机存取存储器(MRAM),它使用一个氧化镁(分别)的磁tunn……»阅读更多

制造业:9月22日
通过马克LaPedus- 9月22日,2015 -评论:0

超导体水坑超导体是零电阻的装置,使其吸引范围的应用程序。但必须冷却超导体的温度接近于零,而反过来,限制了他们的应用程序。高温超导体更有前途的技术,但再一次,他们必须冷却功能。产业……»阅读更多

系统信息:2月17日
通过安Mutschler- 2月17日,2015 -评论:2

你能听到光吗?硅光子学已获得越来越多的关注的芯片实验室生物传感器的关键驱动因素faster-than-electronics电脑芯片之间的通信。这项技术基于微小结构称为硅光子电线。线工作,因为光在硅芯速度慢比周围的空气和玻璃。因此,光线被困在丝……»阅读更多

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