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GaN应用基础扩大,采用增长


氮化镓(GaN)由于其宽带隙,能够实现快速充电,非常高的速度,并且比硅基芯片小得多,开始在广泛的功率半导体应用中出现。与碳化硅(SiC)不同,GaN是一种横向器件,而不是垂直器件。GaN的最高电压约为900伏,这限制了它在…»阅读更多

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