不确定性的增加5 nm, 3海里


一些芯片制造商增加10 nm finFET过程,与7海里指日可待,研发已经开始5海里。事实上,一些已经在场上移动全速前进。[getentity id = " 22586 "评论=“台积电”)最近宣布计划建立一个新的工厂在台湾,耗资157亿美元。该工厂是针对生产台积电5和3 nm流程,制作……»阅读更多

晶体管将会是什么样子在5海里


芯片制造商目前正在加大16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里指日可待。该行业也正在5海里。台积电(TSMC)希望到2020年交付5 nm过程。GlobalFoundries,英特尔和三星在做研发的节点。但是5纳米技术提出了众多的未知和挑战。首先,具体时间和规格5 nm仍然是多云的。…»阅读更多

7纳米工厂挑战


先进铸造供应商的挑战从传统的平面流程过渡到finFET晶体管时代。第[getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]是基于22 nm节点,现在这个行业增加16 nm / 14纳米技术。展望未来,问题是finFET可扩展多远。事实上,从三星预计增加10 nm finFETs你们……»阅读更多

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