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双栅环绕栅晶体管动态闪存(SGT)


摘要:“本文提出了一种超规模的存储设备,称为动态闪存(DFM)。使用双栅极环绕栅晶体管(SGT),可以实现无电容4F2电池。与DRAM[1]类似,需要刷新,但高速块刷新可以提高占空比。类似于Flash[2],“0”擦除,“1”程序和读取的三个基本操作是需要的…»阅读更多

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