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相关研究的实际温度曲线和在线计量测量Within-Wafer均匀性改善和提高收益率的晶片边缘


作者:方方(a),阿洛克Vaid (a),爱丽娜Vinslava (a),理查德Casselberry (a), Shailendra Mishra (a), Dhairya武断的话(a),最后Timoney (a), Dinh楚(b),坎迪斯波特(b), Da歌曲(b),周任(b)关键:(一)GLOBALFOUNDRIES, 400石头打破扩展,马耳他,纽约12020;(b) KLA-Tencor公司,一个技术驱动,苗必达,CA 95035文摘与中欧在新的进步…»阅读更多

利用光学计量工具- sensing覆盖计量


Honggoo李,Sangjun汉Minhyung香港,Seungyong Kima, Jieun Lee DongYoung Leea, Eungryong哦,崔Ahlin SK海力士,和Hyowon公园,韦利梁,崔DongSub Nakyoon Kim Jeongpyo李,维拉潘德夫,Sanghuck全,约翰·c·罗宾逊KLA-Tencor抽象的叠加是一种最半导体制造技术的关键过程控制步骤。一个典型的先进的年代……»阅读更多

先进的场效应电晶体缺陷检测技术和pFET Defectivity 7海里门口聚去除过程


由伊恩•Tolle GlobalFoundries,迈克尔•Daino KLA-Tencor在去除过程7海里门聚,多晶硅删除暴露场效应电晶体和PFET鳍在准备high-k栅氧化层。如果多晶硅腐蚀太激进或源和漏不充分保护,腐蚀会损害活跃区和呈现场效应晶体管不起作用。不同的材料用于t…»阅读更多

光谱可调谐性的准确性、鲁棒性和弹性


覆盖(OVL)计量测量和结果报告的质量很大程度上取决于所使用的测量设置值。例如,在散射测量OVL (SCOL)计量一个具体的目标可以测量多个照明装置,包括一些切趾法选择,两种激光偏振和多个可能的激光波长。并不是所有可能的设置…»阅读更多

大批量生产设备覆盖过程控制


Sangjun韩亚金融集团,由Honggoo Leea Jaeson Wooa, DongYoung Leea, ChangRock Songa, Hoyoung Heob, Irina Brinsterb, DongSub Choic,约翰·c·Robinsonb问海力士,2091年,Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si,京畿道,467 - 701年,韩国bKLA-Tencor Corp ., 8834 n .德州号首都奥斯丁TX 78759 cKLA-Tencor韩国,Starplaza建筑物. .、53 Metapolis-ro华城城市,韩国京畿道文摘……»阅读更多

创新的可伸缩设计护理缺陷监测在生产区域的方法


由伊恩•Tolle GlobalFoundries, Ankit Jain KLA-Tencor文摘保健领域设计的使用检验工具[1,2]近年来描述缺陷已经被建立。然而,实现通常仅限于特定的工程使用情况下,由于复杂性参与护理配方设置区域创建和检查。此外,创建、…»阅读更多

临界晶圆边缘检测和计量数据的地表Defectivity根源和收益分析


文摘设备尺寸继续增加设备2 x nm设计规则和超越和高圆片应力恶化是由于multi-film堆积在垂直记忆过程中,我们观察到的一个边缘产生问题在世界范围内呈上升趋势。晶圆边缘检测和计量成为从而提高产量的关键驱动根本原因分析在新技术坡道。如今,…»阅读更多

EUV十字线打印验证与先进的宽带光学晶片检查和电子束审查系统


极端的紫外线(EUV)光刻生态系统正在积极制定使sub-7nm设计规则的设备,有一个直接的和必要的需要确定EUV十字线(面具)检验方法。引入额外的粒子源由于真空系统和增长潜力的阴霾缺陷或其他电影或粒子口供十字线,梳子…»阅读更多

理解过程和设计系统误差


设计规则收缩,半导体制造业变得更加复杂导致大量增加的缺陷可能会导致一个坚硬的死亡。过程控制和内联缺陷分析被广泛相关帮助缩短学习过程从研发到生产。论述了各种方法,利用图案晶片检查工具来帮助分析……»阅读更多

非传统发展后通过缺陷检查和评价策略


一个可行的在线监测失踪的后端通过线(BEOL)历来是挑战由于缺陷的性质。今天可用的解决方案不满足的要求一个真正的内联和级监控策略。这些解决方案还会间接监控缺陷,把生产损坏或污染的风险由于超过生态…»阅读更多

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