标签:隧穿磁电阻

新的记忆添加新的错误
通过布来安梅奥- 07年9月,2021 -评论:1

新的非易失性记忆(NVM)带来新的机会改变我们如何使用内存systems-on-chip (soc),但他们也为确保添加新的挑战,他们将按预期工作。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM依靠独特的物理现象来存储数据。这意味着新的测试序列和故障模式可能需要被释放之前t…»阅读更多

磁记忆中心舞台
通过凯瑟琳德比郡- 9月19日,2019 -评论:4

可穿戴心率传感器。网络化的烟雾探测器。智能照明。智能门铃。在台式电脑甚至智能手机强大的独立工具,物联网设备共享一个需要从环境中收集数据,存储,传输到其他设备的操作或进一步分析。在许多系统中,数据存储和工作记忆占majorit……»阅读更多

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