InGaN量子的角色障碍改善GaN-based激光二极管的性能


文摘:“在这工作,影响设备性能的不同方面的蓝色激光二极管(像)当使用InGaN代替GaN量子势垒(QB)层从理论和实验上研究了。在建模计算,发现摩门教的阈值电流InGaN QB层明显减少,但斜率效率不是很大程度上改善了…»阅读更多

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