文摘:
“在这个工作中,不同的方面影响设备性能的蓝色激光二极管(像)当使用InGaN代替GaN量子势垒(QB)层从理论和实验上研究了。在建模计算,发现摩门教的阈值电流InGaN QB层明显减少,但斜率效率不是很大程度上改善由于漏电流的增加。然而,在实验结果使用InGaN QB的装配式摩门教层与GaN QB层相比,斜率效率大大提高,这是高34%。发射效率的改善归因于更好的活跃区域的同质性可以提高峰值模式有效地获得。这样更好的同质性QW层可以主要归因于拉动效应成分的减少和抑制InGaN QB层之间的压力和InGaN QW层。”
把这技术论文在这里。公布的09/2021。
本,Y。,Liang, F., Zhao, D., Yang, J., Liu, Z., & Chen, P. (2022). The role of Ingan quantum barriers in improving the performance of gan-based laser diodes.光学与激光技术,145年,107523年。
留下一个回复