标签:功率密度

层次与碳化硅功率密度在太阳能和能源储存场效电晶体
通过英飞凌- 01年9月,2021 -评论:0

最新一代碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高太阳能发电系统和相关的能源存储。本白皮书描述中的应用,并概述了如何降低损失不仅可以节省能源,而且还导致更小、更轻以较低的资本设备,安装和维护成本。点击这里阅读…»阅读更多

一个内部测试的前缘
通过埃德·斯珀林——5月12日,2020 -评论:0

总裁兼首席执行官迈克•Slessor形状因子,坐下来与半导体工程讨论人工智能和5 g芯片的测试,和为什么供电芯片测试变得越来越困难的在每一个新节点。SE:测试如何改变人工智能芯片,你有大量的加速器,在7和5 nm处理器开发吗?Slessor:很多人工智能的东西我们已经……»阅读更多

Micro-Architectural探索低功耗设计
通过阿布野生动物11月- 12,2015 -评论:0

Abishek Ranjan Saurabh Shrimal和瓦尔纳finFET技术的采用创造了一个构造芯片设计景观的转变。除了更好的性能(在同一个信封)和更高的可靠性、finFETs显著降低了泄漏功率较小的技术节点。同时,动态功耗的份额继续上升……»阅读更多

可靠性挑战16 nm FinFET的设计
通过阿尔温德•韦尔10月- 10,2013 -评论:1

随着集成电路产业迅速采用16纳米技术节点,IC设计师可靠性正面临着新一轮的挑战。16 nm节点引入了几种方式的变化以及金属层叠制成的设备。一方面设计师加速,泄漏和密度的改进。另一方面,可靠性工程师需要解决缩小electromigra……»阅读更多

技术讨论:FinFETs FD-SOI和SoC设计的未来
通过埃德·斯珀林- 04年6月,2013 -评论:0

玛丽安白色,营销经理Synopsys对此的星系实现平台,与低功耗/高性能工程商谈新的机会来减少电力和提高性能,而痛点。[youtube视频= kuJdcHIRxfU]»阅读更多

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