可能为负电容场效应晶体管使用窄


发现铁电相的二氧化铪(HfO2)引发了重大利益的机会与传统CMOS集成铁电晶体管和记忆的设备。示威活动的“负电容”行为特别是表明这些设备可能逃避60 mV /十年限制阈下的秋千,从而提高晶体管效率。…»阅读更多

晶体管3海里之外的选择


尽管放缓芯片扩展成本飙升之际,该行业继续寻找新的晶体管类型5到10年2和1 nm节点尤其醒目。具体来说,产业定位、缩小晶体管的选择后的下一个主要节点3海里。这两个节点,称为2.5和1.5 nm,将出现在2027年和2030年,分别协议……»阅读更多

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