标签:MBE

使BaZrS3硫族化物钙钛矿通过分子束外延薄膜
通过技术论文链接11月- 13,2021 -评论:0

文摘:我们将演示制作BaZrS3薄膜的分子束外延(MBE)。BaZrS3形式的斜方晶系的distorted-perovskite结构corner-sharing ZrS6正八面体。MBE单步过程导致电影顺利在原子尺度上,近乎完美的BaZrS3化学计量和几种原子级尺寸的LaAlO3基体的界面。电影通过tw外延生长……»阅读更多

制造业:7月28日
通过马克LaPedus- 7月28日,2015 -评论:0

分子的芯片来自不同组织的研究人员设计了一个晶体管组成的单分子和原子。工作一天可能导致分子与现有的半导体设备的集成技术。这项工作是由Paul-Drude-Institut毛皮Festkorperelektronik (PDI),柏林自由大学(欺骗),NTT和美国海军研究L…»阅读更多

制造业:8月5日
通过马克LaPedus- 05年8月,2014 -评论:0

双巨无霸芯片用分子束外延(MBE)、康奈尔大学设计了一个方法,称为Ruddlesden-Poppers氧化不断壮大的一个新兴阶级的电影。这些氧化物是分层结构,包括2 d - base钙钛矿与阳离子板交叉。在未来,这些结构可以用于各种各样的应用程序,如超导、磁阻和ferromagne……»阅读更多

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