点评:制造业的一周


三星电子宣布它已经开始生产行业的第一个4 gb的DRAM包基于第二代高带宽内存(HBM2)接口。4 gb HBM2包是由底部堆积缓冲区死和4个8-gigabit核心死在上面。这些是然后由TSV洞和microbumps垂直互连。一个8 gb HBM2死包含超过5000 T…»阅读更多

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