内部FD-SOI和扩展


首席技术官加里•巴顿(getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”],与半导体工程讨论FD-SOI坐下,IC缩放、过程技术和其他话题。以下是摘录的谈话。SE:逻辑,GlobalFoundries航运14 nm finFETs 7海里的作品。该公司还准备22纳米FD-SOI技术与12海里FD-SOI……»阅读更多

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