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标签:IGBT

当少可以多与智能模块设计:第1部分
通过Jan Baurichter2023年2月- 06(-评论:0

规模与权力经常看起来像一枚硬币的两面。当你减少大小——ever-pressing目标在我们的行业之一——你不可避免地减少权力。但必须这样吗?通过将我们的思想从芯片到模块设计,没有必要抛硬币。在IGBT模块,芯片收缩导致热阻增加,从而影响沟……»阅读更多

应用程序和验证的有效热扩散角多层热设计
通过技术论文链接11月- 12,2021 -评论:0

文摘:“设计转换器时,半导体的平均结温是一个经常需要估计。其分析计算需要的总热阻冷却装置。不幸的是,由于散热过程的复杂性,估计相关的热阻通常较低的精度。显著改善……»阅读更多

在SiC mosfet短路强度
通过Zhihui元9月- 13,2021 -评论:1

Trench-based碳化硅功率场效应管(金属氧化物半导体场效应晶体管)代表一个戏剧性的改善品质因数(FOM)值的功率转换开关设备。结果,优秀的系统性能,实现更高效率、功率密度,降低了系统成本对于许多应用程序。今天,主要的目标应用程序的年代……»阅读更多

晶圆厂深入机器学习开车
通过安妮Meixner- 07年9月,2021 -评论:0

先进的机器学习开始侵入产生增强方法晶圆厂和设备制造商寻求识别defectivity模式在晶圆图像的精度和速度更高。每个月一个晶圆厂主要生产数千万wafer-level图像检查、计量和测试。工程师必须分析这些数据来提高产量和拒绝……»阅读更多

制造业:6月7日
通过马克LaPedus- 07年6月,2021 -评论:0

高压superjunction SiC设备华威大学和剑桥大学微电子已经发表了一篇论文的最新努力开发一种新型的碳化硅(SiC)功率器件称为SiC superjunction肖特基二极管。研究人员模拟和优化的发展4 h-sic superjunction肖特基二极管在1700伏特的电压等级,瞄准breakdow……»阅读更多

碳化硅的来龙去脉
通过埃德·斯珀林——3月19日,2020 -评论:0

首席技术官约翰•Palmour克里族,坐下来谈谈碳化硅半导体工程,如何比较硅,从设计和包装的角度看,有什么不同和使用。以下是摘录的谈话。SE:碳化硅电力电子与射频易于理解,但是是主要优势的能力,设备运行温度比硅,或者是……»阅读更多

SiC铸造业务出现
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:1

几个第三方铸造厂商进入或扩大他们的努力在碳化硅(SiC)业务蓬勃发展之际,对技术的需求。但是,使重大影响的市场将不会那么容易对SiC铸造供应商和他们的客户。他们面临激烈的竞争从传统的SiC设备供应商如克里族、英飞凌、罗姆和意法半导体。»阅读更多

碳化硅的超级大国
通过Llew Vaughan-Edmunds8月- 15,2019 -评论:0

当我们进入一个新的计算时代推动物联网(物联网),大数据和人工智能(AI),更节能芯片的需求增长。在这种背景下,我们经常会考虑到摩尔定律和减少晶体管的大小。然而,功率半导体的进步并不是由节点的大小减少。硅功率开关、mosfet、igbt等,基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

电动汽车获得牵引力,但挑战仍然存在
通过马克LaPedus——4月22日,2019 -评论:4

电池驱动的电动汽车预计将达到一个里程碑的出货量在2019年,但是技术面临一些重大障碍在市场上获得更广泛的采用。练习场有限,成本高,电池问题,以及糟糕的充电基础设施的主要挑战是电池电动汽车(成为)。此外,还有问题与各种权力semic……»阅读更多

碳化硅晶片需求激增
通过马克LaPedus9月- 20,2018 -评论:0

碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历一场突然激增电动车和其他系统的需求在增长。但需求也导致市场供应紧张的应用设备,促使一些供应商添加工厂能力中一个棘手的wafer-size过渡。有些SiC设备制造商转变从4 - 6英寸晶圆在f…»阅读更多

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