回顾驱动电路对中期大功率宽禁带半导体开关器件的应用程序

通过技术论文链接- 04年2月,2022 -评论:0

文摘:“宽禁带(银行)材料开关设备,如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是很有前途的候选人取代传统硅(Si)场效应管的各种先进的功率转换应用,主要是因为他们capabi……»阅读更多

制造:1月21日

通过马克LaPedus- 1月21日,2020 -评论:0

新高频晶体管的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF已经开发了一个新的高频晶体管type——金属氧化物半导体HEMT或MOSHEMT。还在研发,弗劳恩霍夫MOSHEMT达到了创纪录的640 ghz的频率。MOSHEMTs设计100 ghz频率范围及以上。应用包括通信、雷达和sens……»阅读更多

通过马克LaPedus- 10月23日,2019 -评论:1

一些厂商推出下一波的功率半导体基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),为摊牌与传统硅设备在市场上。电力半导体专业的晶体管,将不同的和有竞争力的技术像甘,碳化硅和硅。作为开关电源元件操作high-volt…»阅读更多