采用晶片误差校正和相关可靠性技术的DRAM芯片


苏黎世联邦理工学院研究人员Minesh Patel的这篇新的博士论文题为“在使用芯片纠错代码的内存芯片中实现有效的错误缓解”,于2022年6月获得了IEEE威廉·c·卡特奖。摘要:主存存储密度的提高主要是由工艺技术的扩展驱动的,它通过加剧各种电路对可靠性产生负面影响。»阅读更多

HARP:在使用芯片纠错代码的内存芯片中实际有效地识别不可纠正的错误


摘要:“解决与缩放相关的主存错误的最先进技术可以从内存控制器内部识别和修复存在错误风险的位。不幸的是,现代主存芯片内部使用on-die错误校正码(on-die ECC),这混淆了内存控制器的错误视图,使识别风险位(即错误识别)的过程复杂化。»阅读更多

Baidu