标签:卡尔蔡司SMT

计量的薄抵制高NA EUVL
通过新星- 2022年11月16日-评论:0

的限制高数值孔径的极端紫外线光刻技术(高NA EUVL)抵制厚度有关。事实上,从当前的后果之一0.55 0.33 NA NA(高NA)是景深(景深)。此外,抵抗特性线间距缩小到8海里一半,有必要限制比例,以避免模式崩溃。T…»阅读更多

推动EUV掩模修补的局限性:解决sub-10纳米缺陷与下一代e-beam-based面具修理工具
通过技术论文链接- 07年12月,2021 -评论:0

文摘”面具的修复是一个重要的一步生产过程的极端紫外线(EUV)面具。其关键的挑战是不断地提高分辨率的修复和控制,使微型特征尺寸在面具的EUV路线图。最先进的面具修复方法是辅助电子束光刻(电子束)也称为聚焦电子束……»阅读更多

文艺复兴时期的半导体
通过布莱恩•贝利- 10月29日,2020 -评论:2

主要半导体和末端市场的变化正在推动一些调用一个文艺复兴时期的技术,但这种新的导航,多方面的要求可能会导致一些芯片行业的结构性变化,已经变得越来越困难为一个公司做所有的事。在过去的十年里,手机行业一直占主导地位的司机的半导体生态…»阅读更多

更多的EUV掩模间隙
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:12

极端紫外线(EUV)光刻技术是在一个关键时刻。经过几次延误和故障,[gettech id = " 31045 "评论=“EUV”]现在是针对7和/或5 nm。但仍有许多技术之前必须一起EUV插入到大规模生产。如果作品不属于的地方,EUV可能再次下滑。首先,EUV源必须产生更多…»阅读更多

点评:制造业的一周
通过马克LaPedus- 04年11月2016 -评论:0

奥斯汀三星半导体计划投资逾10亿美元的工厂在奥斯汀,德克萨斯州。今天,工厂将继续加大公司的14 nm finFET技术。与此同时,三星扩大先进finFET铸造工艺产品的第四代14 nm制程(14 lpu)和第三代10纳米技术(10 lpu)。Graphcore正在开发一个所以-…»阅读更多

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