标签:stt - ram

未来5年的芯片技术
通过埃德·斯珀林- 12月18日,2017 -评论:0

半导体工程坐下来讨论未来的扩展、变化的影响,以及新材料和新技术的引入,与里克•Gottscho CTO [getentity id = " 22820 "评论=“研究”);先进的模块工程副总裁马克·多尔蒂(getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);技术研究员大卫·Shortt [getentity id = " 22876 "有限公司…»阅读更多

解决下一代记忆
通过马克LaPedus- 9月22日,2016 -评论:8

在数据中心和相关环境中,高端系统正在努力跟上日益增长的数据处理需求。在这些系统有几个瓶颈,但一个段,继续受到大量的关注,如果不是责任的一部分,是内存和存储层次结构。[getkc id = " 92 " kc_name =“存储器”],这个层次结构的第一层,是……»阅读更多

普遍的记忆落到地面
通过埃德·斯珀林9月- 20,2012 -评论:0

由马克LaPedus十年前,英特尔公司(Intel corp .)宣布在65纳米闪存将停止扩展,促使一种新的替代技术的必要性。思维的末日已经不远了flash,许多公司开始开发各种新一代内存类型,如3 d芯片,FeRAM, MRAM,相变内存(PCM)和ReRAM。许多这些技术最初称为“大学…»阅读更多

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