使用化学方法分离个人死在晶片。
发生的半导体工艺流程、切割硅片的过程是最后变成单个芯片,或死亡,传统上通过一个锯或激光。锯条或激光,用于减少晶圆芯片之间的区域称为切割道。这一步将晶圆的芯片使他们准备好包装和安装他们最终会在任何设备。
等离子切割达到相同的结果与干蚀刻过程使用氟等离子体腐蚀的材料切割车道之间的芯片。等离子切割是在半导体行业中获得接受的首选解决方案,与叶片或激光,特别是芯片变得更小,更薄,更复杂。
刀片切割的过程是使用一个磨盘(叶片)高速旋转切割切割道。通常,叶尖的喷丸或极薄的钻石,和可以用来骰子。、切、或简单地槽硅片。机械切割方法,然而,就像任何刀片切割依赖物理删除材料,可能导致凿和开裂的死,导致损坏产品和更低的收益率。
激光切割,顾名思义,使用激光技术独立的晶片到死。这个过程包括提供高浓度的光子流到晶片上,产生的局部温度高去除切割巷地区之间的芯片。激光加热材料这样一个温度下的面积激光点就是吹走(熔化)或蒸发。激光还可以集中交付这些热量大量的晶片,这种方法被称为“隐形”激光切割。对于这种方法,激光产生的热量在切割巷空洞。这些削弱区域然后像穿孔撕裂晶圆时扩大。片锯方法相比,激光切割是昂贵得多。
等离子切割提供了许多好处相比其他传统的切割方法。
等离子体切割删除切割巷的材料化学。没有机械损伤,无热影响区或其他物理对死亡的影响。这意味着等离子切割没有造成伤害。死,扣带回的等离子体,有更高的断裂强度与扣带回的叶片或激光。
这收获机械完整性是死亡主题的特定优势体育强调服务,比如用于混合动力结合栈高带宽内存(HBM),如果一个芯片在堆栈失败,整个设备丢失。
朝着更薄死,等离子切割是一种有价值的机械的本质属性是行业路线图厚度低于50µm推。
刀片切割和激光切割“串行”过程沿着一个接一个地切割道。激光,具体来说,可能需要多个通行证。等离子切割去除所有的切割道“并行”在同一时间。这意味着随着模具尺寸缩小(即。,更多的切割道,因此更需要削减),和晶片薄(少为等离子体去除硅,或降低叶片速度/激光权力需要避免损坏),等离子切割有交叉的地方变得最快的过程。
没有任何物理限制如叶片宽度或激光光斑大小以适应,等离子体可以使切割车道窄,提供一个机会来提高模具生产线的输出。释放晶片房地产,以前牺牲对于机械分离方法,现在可以分配给其他活跃的死亡。死算收益的潜力是重要的,特别是在较小的规模被认为是死亡。
晶片布局不受限的线性切割路径,需要等离子切割设备可以提供设计师有更大的灵活性基本形状/大小死去,消除护环,和定位模/晶圆的测试团队更好地利用区域。
测试结构说明的灵活性设计等离子切割。
等离子切割等也对脆弱的吸引力设备微机电系统(MEMS)。例如,惯性传感器由微小的可动结构将受益于一个干净、无机械分离方法。就不会有身体力量振动晶片和传感特性造成损害,或粒子在它们之间果酱,影响他们的运动。
等离子切割的化学性质产生气体副产品,由真空抽水删除留下一个干净的晶片表面,应用,如混合成键的关键。机械切割或激光消融可以导致碎片或颗粒污染整个晶圆表面(可以检测使用国际安全和发展理事会F160XP死排序和检测系统)即使小心清洗/干燥。
因此,尽管传统的切割方法仍将是一个符合成本效益的解决方案对于许多应用程序,在越来越多的情况下,等离子切割可以提供更大的产量,灵活性,和吞吐量,从而导致更低的总体拥有成本。了解更多关于等离子切割通过观察的好处我们最近的spt研讨会。
如果你想讨论你自己的切割要求,找出如果spt等离子切割与你当前的解决方案,可以解决任何问题得到在to与我们过去后。
(这个博客首次出版解放军的推进)
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