甘新公司推到大功率电器,平面是精疲力竭了。
氮化镓(GaN),二进制III-V隙材料,被用于制造led过去几年。甘也被吹捧为电力电子与射频的下一件大事。在某种程度上,氮化镓在射频方面取得了进展,尤其是在高端国防和航空航天应用。
但在电力电子技术在混合成功。今天的GaN-on-silicon设备横向结构,这意味着当前流从源到表面上。
大问题?有一个GaN和硅晶格不匹配。事实上,横向GaN-on-silicon设备可以在600伏撞墙,促使下一代技术的必要性,即大部分垂直GaN晶体管。
一启动,Avogy,是引领发展的大部分垂直GaN晶体管。Avogy成立于2010年,但公司在2014年进入聚光灯下,在系列B筹集了4000万美元资金。英特尔投资,一个新的投资者,领导了。它还获得资金从现有的投资者,科斯拉风险。
2013年,Avogy还获得了170万美元的资金从高级研究项目署能源(arpa - e),美国能源部的一部分。arpa - e,关注早期技术,最近宣布了一项计划,旨在开发下一代1200伏特和更高的设备和材料和100安培的应用程序。程序被称为开关,简称“策略宽禁带,廉价的晶体管控制高效系统。”
Avogy是几家公司交换机项目之一。位于加州圣何塞Avogy成立了半导体资深Isik Kizilyalli。Kizilyalli首席技术官。一位前高管Dinesh拉马纳坦柏树半导体、Avogy的总裁兼首席执行官。一般合伙人皮埃尔Lamond科斯拉风险投资公司,是董事长。
此外,Avogy圣何塞的工厂,其中包括一个3500平方英尺的清洁房间。在工厂,光刻工具以及多个金属反应堆用于生长氮化镓外延层。大多数人认为GaN-on-GaN是一项具有挑战性的技术。“这是一个神话,“Kizilyalli说。“这很贵,但价格下降,质量改善。”
一段时间,Avogy一直取样设备,主要是二极管,阻断电压的600,1200,和1700 -伏特。它也发展垂直jfet。
留下一个回复