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下层EUV光刻技术的优化方法


光刻胶和下层结合为核心作用的EUVL模式。层将在未来非常薄,因为高数值孔径(NA)和紧球需要很薄层光刻堆栈。这个瘦会让photoresist-underlayer化学交互界面更加普遍。这些层之间的附着力会克服的关键模式c…»阅读更多

High-Temperature-Stable,自旋对碳材料High-Aspect-Ratio Gap-Fill应用程序


布鲁尔科技公司开发了一个类的小说,high-temperature-stable旋涂碳(SOC)的材料具有优良的加工性能。这些soc治愈在温和条件下和流动特性,使填充high-aspect-ratio通过紧密的方式。此外,这种新的soc具有显著的热稳定性,能生存温度高达550°C的智慧……»阅读更多

改善EUV Si Hardmask性能通过湿化学功能化


在EUV光刻、旋涂硅hardmasks已经广泛使用不仅是腐蚀转移层,也是协助层增强抵抗的光刻性能。在这项研究中,我们将演示一种新颖的方式用旋涂硅hardmasks通过组合官能团通过溶胶-凝胶的方法。通过不同的浓度和类型功能g……»阅读更多

缓解和表征Hardmask硅材料缺陷


从数字图书馆学报:在这项研究中,金属污染物,液体粒子计数和薄片上缺陷的Si - HMs监控和过滤去除率来确定滤波器的影响类型,孔隙大小、媒体形态,对过滤性能和清洁。5-nm聚四氟乙烯NTD2过滤器有专用表面处理用于此研究显示缺陷数量最少。作者:Vineet……»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法


的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于对朱元璋……»阅读更多

改善EUV底层涂料Defectivity使用接入点过滤


作者:爱文吴(Entegris公司-美国),Hareen Bayana (Entegris GmbH -德国),菲利普Foubert (imec -比利时),安德里亚·查柯和道格拉斯Guererro(布鲁尔科技有限公司-美国)。介绍努力利用不同的过滤参数,包括保留评级和膜材料,了解他们对EUV底层涂料防御……»阅读更多

发展区域自旋对碳材料的高温过程


多层光刻技术是用于先进的半导体工艺复杂的结构模式。随着越来越多的程序包含一个高温的过程,如化学气相沉积(CVD)、耐热材料的需求也在不断增加。对于某些应用程序,一个自旋对碳(SOC)层下生存所需的化学汽相淀积层是通过高温过程……»阅读更多

超级区域材料海沟和通过数组


由于设备设计尺度和变得更加复杂,好控制模式和转移是不可或缺的步骤。整平的深沟,通过阵列一直是一个挑战。纵横比继续增加,临界尺寸缩小,和典型的海沟填补计划不再能够满足填充和整平的要求。传统设计的自旋对碳(SOC)米……»阅读更多

薄膜特性的先进模式


作者:Zhimin朱;Xianggui你们;肖恩·西蒙斯;凯瑟琳弗兰克;蒂姆娼妓;詹姆斯羊布鲁尔科学,Inc .(美国)可变角度光谱椭圆计(花瓶)是一个重要的工具来测量薄膜的厚度,以及n和k光学参数。然而,对于电影比10 nm,精确测量是非常具有挑战性的。在这篇文章中,问题的根源……»阅读更多

调查使用各种版本和热塑性粘结材料和方法来减少死亡转变和薄片弯曲eWLB Chip-First流程


今天的扇出wafer-level包装(FOWLP)过程中使用有机基质组成的环氧模具化合物(EMC)创建使用热压缩过程。EMC晶圆是一个具有成本效益的方式来达到低调包不使用的无机基质生产芯片包更薄更快而不需要插入器或through-silicon-vias (tsv)。一个方法…»阅读更多

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