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解决IC Hyperconvergence设计挑战


最近在一篇文章题为“半导体的复兴,“我的同事迈克尔Sanie强调的一些趋势正在推动下一代产品开发。他详细说明了设计目标的新应用程序创新通过先进的流程节点技术的结合和异构集成堆死/ 3 d / 2.5 d系统。此外,先进的绿色……»阅读更多

利润比其效用吗?


自动化解决复杂设计问题的过程中,传统的方法是把它们分割成更小的、易于管理的任务。对于每个任务,我们已经建立了最好的解决方案随着时间的推移,我们不断完善。此外,我们有管理任务通过定义边界或边缘之间的相互依赖关系;这些经常使用最好和最坏值t…»阅读更多

FinFET基础设计:可靠性验证的影响


在过去的几个月里,我已经讨论了各种挑战与finFET-based设计。我们都知道finFET设备启用设计专门的团队来运作他们的芯片显著降低供应电压与泄漏电流非常严格控制。但控制内的总功率功率预算紧张,挑战转向逻辑设计是如何管理这样的一…»阅读更多

FinFET-Based设计:包模型考虑


FinFET设备的使用在下一代高性能、低功耗设计是一个根本转变,发生在半导体行业。这些设备通过较小的尺寸,严格Vth控制和更高的驱动优势使更高的性能和整体集成,同时减少能源消耗增加。但是随着这些设备介绍和优势…»阅读更多

FinFET-Based设计:权力签字注意事项


FinFET设备可以在超低sub-1V标称电源电压水平而不影响他们的延误。这允许低功率、更高的性能设计需要今天的许多应用程序。这些设备也有相当高的驱动力量,允许更快的操作速度。然而,这可能导致更多的本地化di / dt当前场景中,当加上更多r…»阅读更多

FinFET基础设计:权力分析考虑


设计团队致力于移动计算、网络和其他低功耗、高性能ip和soc迁移到FinFET-based技术。然而,受益于规模较小的大小和能力提供一致的性能在超低sub-1V标称电源电压水平超过了电源噪声恶化和可靠性。早期博客所鲍威……»阅读更多

电源噪声和可靠性签字Sub-20nm FinFET的时代


有更大关注电力噪音和可靠性模拟和签字随着SoC设计复杂度的继续增加100 +不同电压岛屿,时钟和电源控制技术,和多个ip每个操作在不同的时钟和电力领域,等技术从40 nm节点迁移到20 nm驾驶要求electro-migration (EM)和可靠性……»阅读更多

挑战集成电路和电子系统验证


在本系列的前两部分,我们回顾了设计团队所面临的挑战,因为他们应对增加功耗,更严格的日程安排,努力降低成本。提出了自上而下和自下而上的分析框架来帮助控制这些挑战。在本系列的第2部分,具体挑战概述包括功率预算、电力和信号完整性,…»阅读更多

挑战集成电路和电子系统验证


功率效率,不切实际的时间表,和降低成本方面的考虑越来越多的顶级设计团队挑战必须满足交付下一代电子系统,无论是移动、服务器或汽车市场。此外,一个成功的芯片tapeout并不能保证最终成品的成功对许多变量来考虑。在第一个p…»阅读更多

挑战集成电路和电子系统验证


由Aveek Sarkar设计成功的电子系统能够满足具有挑战性的需求并快速发展的手机市场需要设计团队解决关键问题,如功率效率,不切实际的时间表,和降低成本方面的考虑。在本系列文章的第一篇中,我们将考察这些挑战。第1部分:设计电子系统不断增长的挑战……»阅读更多

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