在手性量子位与单个孔静电在天然硅金属氧化物半导体设备


新技术论文题为“一个黑洞自旋相干增强自然硅”是格勒诺布尔大学的研究人员公布的阿尔卑斯,东航,LETI, CNRS。文摘:“半导体自旋量子比特基于旋轨道状态响应电场作用,允许实用、快速和潜在的可伸缩的量子位控制。然而,自旋电极化率……»阅读更多

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