标签:三星半导体

DAC /半导体西2023摘要
通过SE的员工- 7月17日,2023 -评论:0

半导体器件和公司生产的相互依存是一个反复出现的主题在今年的半导体西方,在演讲和一对一的讨论。挑战从共享数据安全地在一个高度集成的供应链,尤其是在光异构集成、安全问题,增加使用的人工智能,以及担忧robus……»阅读更多

打破了1米RAID5写IOPS障碍
通过三星——5月17日,2023 -评论:0

在今天的以数据为中心的时代,大量的数据生成、存储和处理以前所未有的速度。企业利用这些数据来做出更好的决策,获得更大的效率,开发更多的产品,提高盈利能力,最终提高用户满意度。继续产生高度的价值从国门面向数据流,今天的en……»阅读更多

周评:半导体制造、测试
通过格雷戈里·哈雷- 3月31日,2023 -评论:0

美国商务部提出规则概述美国芯片激励计划,包括更多的细节在国家安全措施适用于芯片激励计划包含在芯片和科学行为。规则限制资金接受者在国外投资半导体制造业的扩张的担忧,尤其是人民代表……»阅读更多

周评:设计,低功耗
通过苏珊兰博- 3月31日,2023 -评论:0

Synopsys对此推出了一个叫做Synopsys对此AI-driven设计套件。本周ai Synopsys对此用户组会议,它可以减少时间更好的结果在设计流程中的多个点。公司指出,新技术采用强化学习,它弥补了相对较小的数据集,允许工程师更容易与这些数据在任何时候,和ch……»阅读更多

提高性能和与HBM3权力
通过安迪Patrizio1月30日,2023 -评论:0

HBM3波动开门显著更快的内存和处理器之间的数据移动,减少权力需要发送和接收信号,提高系统的性能,高数据吞吐量是必需的。但使用这种记忆是昂贵和复杂,这可能在短期内将继续如此。高带宽内存3 (HBM3)是最衰退……»阅读更多

DeepGBASS:深层引导Boundary-Aware语义分割
通过三星1月18日,2023 -评论:0

图像语义分割无所不在地用于场景理解应用程序,如人工智能相机,要求精度高和效率。深度学习大大先进的最先进的语义分割。然而,许多最近的语义分割工作只考虑类准确性和忽视语义类之间的边界的精度。即兴表演……»阅读更多

迁移3 d成为主流
通过布莱恩•贝利- 10月31日,2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论需要改变整个生态系统支持三维(3 d)芯片设计与诺曼Chang首席技术专家ANSYS的半导体业务单元;集成电路包装和产品管理总监约翰•公园在节奏的跨平台解决方案;营销主管约翰•弗格森在导师,刚果民主共和国应用程序西门子业务;…»阅读更多

FD-SOI与FinFETs
通过埃德·斯珀林2015年5月- 13 -评论:3

半导体工程坐下来比较收益,风险和挑战的finFETs而完全耗尽绝缘体上硅([getkc id = " 220 " kc_name = " FD-SOI "])和菲利普·Magarshack集团技术研发副总裁(getentity id = " 22331 "评论=“意法半导体”);的工程总监马可•Brambilla [getentity id = " 22150 " e_name = "突触D…»阅读更多

FD-SOI与FinFETs
通过埃德·斯珀林- 4月30日,2015 -评论:0

半导体工程坐下来比较收益,风险和挑战的finFETs而完全耗尽绝缘体上硅([getkc id = " 220 " kc_name = " FD-SOI "])和菲利普·Magarshack集团技术研发副总裁(getentity id = " 22331 "评论=“意法半导体”);的工程总监马可•Brambilla [getentity id = " 22150 " e_name = "突触D…»阅读更多

寻找3 d计量
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:3

在过去的二十年中,芯片制造商做了一个大胆而必要的决定选择[getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)作为下一个晶体管集成电路产业的体系结构。不过,随着时间的推移,芯片制造商发现finFET将工厂的一些挑战。沉积、光刻和蚀刻明显的障碍,但在计量芯片制造商也看到一个巨大的差距。事实上,…»阅读更多

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