标签:受潮湿腐烂

下一代光掩模的尚未解决的问题
通过马克LaPedus- 2月17日,2022 -评论:0

专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

业务、技术挑战增加光掩模
通过马克LaPedus12月- 16,2021 -评论:0

专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

逆光刻技术:30年从概念到实际,全芯片的现实
通过技术论文链接- 01年10月,2021 -评论:0

发表在《微/ Nanopatterning,材料,和计量,2021年8月31日。阅读完整的技术论文(开放)。文摘在光刻技术,光学邻近和过程偏差/效果需要纠正达到最佳的晶片打印。努力纠正这些影响开始用一个简单的偏见,添加一个锤头在预防行结束缩短行结束。T…»阅读更多

多波束市场升温
通过马克LaPedus——3月17日,2016 -评论:3

多波束电子束面具作家业务正在升温,随着英特尔和NuFlare分别进入新兴市场。在一个惊人的举动,[getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”)收购IMS奈米制造的过程中,一个[gettech id = " 31058 " t_name = "多波束电子束"]设备供应商。,另外,电子束巨头NuFlare最近披露其新多波束面具作家t…»阅读更多

10纳米工厂挑战
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:1

2015年一个有希望的开始后,半导体设备行业正在经历一场轻微的间歇。然而,暂停预计将是短暂的。供应商(getkc id = " 208 "评论=“3 d NAND”]设备今年晚些时候预计将增加更多的工厂产能。大约在同一时间,铸造厂预计订单第一批大量生产工具10纳米。10海里……»阅读更多

问题和选项5海里
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:0

在铸造厂加大他们的流程为16 nm / 14 nm节点,供应商也忙于开发技术10 nm和超越。事实上,芯片制造商正在敲定10 nm制程产品,但他们仍然重7海里的技术方案。如果这还不够,IC制造商开始看选项5 nm和超越。今天,芯片制造商可以看到一个p…»阅读更多

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