标签:光学CD

如何计量工具堆栈在3 d NAND闪存设备
通过劳拉·彼得斯——5月15日,2023 -评论:0

多个创新半导体加工需要支持3 d NAND位密度每年增加约30%的下降的成本,这些都需要满足大数据时代的非易失性存储需求。3 d NAND是第一个真正三维设备在生产中。它既是一种为新的计量方法和技术驱动程序的重要组成部分…»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

3 d NAND计量日益增长的挑战
通过马克LaPedus- 09年4月,2019 -评论:8

3 d NAND闪存供应商面临几个挑战他们的设备规模到下一个级别,但制造技术是在每个turn-metrology更加困难。计量、测量和描述的艺术结构,找出问题,确保收益用于所有芯片类型。对于3 d NAND,计量工具正变得越来越昂贵的在每个迭代中…»阅读更多

发现缺陷与机器学习芯片
通过马克LaPedus2019年3月- 12 -评论:7

芯片制造商正在使用比以往更多的和不同的传统工具类型找到杀手先进芯片缺陷,但他们也转向高级形式的机器学习等互补的解决方案来帮助解决这个问题。人工智能(AI)的一个子集,机器学习几十年来一直用于计算等领域。事实上,早期形式的机器学习哈…»阅读更多

测量FinFETs将变得更加困难
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:2

行业正在逐步迁移到芯片基于finFET晶体管在16 nm / 14 nm,但是生产这些finFETs工厂被证明是一个艰巨的挑战。finFETs模式是最困难的过程。但计量,另一个进程正迅速成为下一代晶体管技术的最大挑战之一。事实上,[getkc id = " 252 " kc_n……»阅读更多

寻找3 d计量
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:3

在过去的二十年中,芯片制造商做了一个大胆而必要的决定选择[getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)作为下一个晶体管集成电路产业的体系结构。不过,随着时间的推移,芯片制造商发现finFET将工厂的一些挑战。沉积、光刻和蚀刻明显的障碍,但在计量芯片制造商也看到一个巨大的差距。事实上,…»阅读更多

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