Nanosheet GAAFETs:紧凑型建模(Politecnico di都灵)


技术论文题为“NS-GAAFET紧凑型建模:Sub-3-nm电路性能的技术挑战”是由研究人员发表Politecnico di都灵。文摘:“NanoSheet-Gate-All-Around-FETs (NS-GAAFETs)通常被认为是未来技术,推动数字节点扩展到低于纳米范围。NS-GAAFETs预计将取代FinFETs几年后,为…»阅读更多

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