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采用2D半导体的更薄通道


迁移到未来的节点需要的不仅仅是更小的特性。在3/2nm及更远的工艺上,可能会添加新材料,但具体是哪种新材料,以及何时加入,将取决于全球大学和公司正在进行的材料科学研究的爆发。用场效应晶体管,施加在栅极上的电压在通道中产生电场,使禁带弯曲。»阅读更多

FD-SOI物联网?


完全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)晶圆有时刻了吗?当然,SOI晶圆并不新鲜。Soitec的SmartCut层转移技术于1994年获得专利,在此之前已经有了植入氧化层的晶圆。尽管如此,采用SOI晶圆一直受到限制。虽然他们提供了改进的设备隔离和减少寄生,晶圆成本的增加一直是一个问题。»阅读更多

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