缺陷在下一代进化,极端的紫外线光刻技术


极端紫外线(EUV)光刻是一种很有前途的下一代光刻技术,可能在未来成功光学光刻技术节点。EUV掩模的基础设施和制造缺陷的EUV掩模空格是一个关键的短期挑战EUV光刻技术的使用。虚拟制造是一种计算机技术进行预测,三维建模的sem……»阅读更多

多模式EUV与High-NA EUV


铸造厂终于在生产与EUV光刻7海里,但芯片客户现在必须决定是否使用EUV-based实现他们的下一个设计多个模式5 nm / 3 nm或等待一个新的单井网EUV系统3 nm和超越。这个场景围绕ASML目前的极端紫外线(EUV)光刻工具(NXE: 3400 c)和一个全新的EUV系统……»阅读更多

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