标签:eFLASH

在制造和测试STT-MRAM挑战
通过马克LaPedus2019年5月- 07 -评论:1

一些芯片制造商加大新一代内存类型称为STT-MRAM,但仍有各式各样的对当前和未来的设备制造和测试的挑战。STT-MRAM或自旋扭矩MRAM是吸引力和日益活跃,因为它结合了几种常规内存类型的属性在一个单一的设备。多年来,STT-MRAM特性…»阅读更多

嵌入式相变内存中
通过马克LaPedus——2019年1月24日——评论:3

下一代嵌入式应用程序内存市场正变得越来越拥挤的另一个技术出现arena-embedded相变内存。相变内存并不新鲜,几十年来一直在进行。但这项技术已经不再商业化在技术和成本的挑战。相变内存,一个存储数据的非易失存储器类型……»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

深入:嵌入式NVM技术
通过欧内斯特·沃斯曼- 02年4月,2015 -评论:0

许多的新一代设备,将物联网/ E将拥有权力,足迹,和电子约束,这在以前是从来没有过的。电子闪存(eFLASH)及其衍生物被视为一个现实的解决这些小外形设计约束和简单的埃克斯波特学院设备。“NVM将非常重要的埃克斯波特学院从节约能源的角度来看,“……»阅读更多

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