回顾驱动电路对中期大功率宽禁带半导体开关器件的应用程序


文摘:“宽禁带(银行)材料开关设备,如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是很有前途的候选人取代传统硅(Si)场效应管的各种先进的功率转换应用,主要是因为他们capabi……»阅读更多

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