室温金属键合技术,促进3D- ic的制造和与异质器件的3D集成


日本东北大学的研究人员发表了一篇题为“室温直接Cu半添加剂镀(SAP)键合用于μLED晶片上三维异构集成”的技术论文。摘要:“这封信描述了一种基于晶片对晶片配置的直接铜键合技术,用于多维度集成异构双晶片。100 μm立方蓝色μ LED…»阅读更多

在晶圆尺度上测量直接键合能的新方法(CEA-LETI)


一篇题为“使用共聚焦红外显微镜测量双悬臂梁键能”的新技术论文由格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA-LETI和SOITEC、Fontaines技术公园的研究人员发表。“为了在晶圆尺度上测量直接键能,我们评估了一种新技术。它是由标准的双悬臂梁(DCB)方法衍生而来,并应用于实际工程中。»阅读更多

研究报告:11月15日


来自大阪大学的科学家开发了一种使用银层直接三维连接铜电极的新方法。该方法在低温下工作,不需要外部压力。“我们的工艺可以在温和的条件下进行,在相对较低的温度下,没有额外的压力,但这些键能够承受…»阅读更多

IC制造材料和工艺的巨大变化


Brewer Science的CTO Rama Puligadda接受了《半导体工程》杂志的采访,讨论了半导体制造、封装和材料的一系列广泛变化,以及这将如何影响整个供应链的可靠性、工艺和设备。SE:牺牲材料在半导体制造中扮演什么角色,在新的工艺节点上有什么变化?Puliga……»阅读更多

为集成硅光子学做好准备


长途通信和数据中心是光子学组件的巨大买家,这导致了技术的快速发展,并打开了新的市场和机会。该行业必须适应对其提出的要求,并解决集成硅光子学设计、开发和制造中的瓶颈。“看看网络带宽的使用……»阅读更多

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